Наиболее распространенные типы поломок ноутбуков в моей практике

## Онлайн справочник радиолюбителя

При замене этих компонентов многие сталкиваются с трудностями в определении их типа. Поскольку название радиодетали бывает достаточно длинным и не помещается на микроскопическом корпусе, производители вместо него на SMD-корпусе указывают код.

## Маркировка радиокомпонентов

Для кода 1AM - все однозначно: это NPN-транзистор MMBT3904.

Для SMD-кода 2A также все однозначно: это PNP транзистор ***3906. Разные префиксы перед цифрами указывают на разных изготовителей.

Для SMD-кода Y2 однозначности нет. Компонент с маркировкой Y2 может быть как стабилитроном, так и PNP-транзистором. Чтобы определить тип этого радиоэлемента, необходимо будет его выпаять и анализировать. В ряде случаев это можно сделать и обычным мультиметром, но гораздо удобнее для этих целей использовать специальный анализатор.

## Способы определения типа радиоэлемента

Испытуемая деталь вставляется в гнезда панельки с нулевым усилием, пронумерованные 1-2-3. Для удобства подключения деталей разного размера номера на панельке повторяются. Далее нажимается кнопка Test, и через несколько секунд на экране появляется электрическое обозначение испытуемого компонента и его параметры.

## Популярные приборы для анализа радиокомпонентов

### Fish-8840TFT
- Анализирует структуру и измеряет основные параметры диодов, транзисторов, конденсаторов, резисторов и дросселей.
- Питание: батарея типа крона (6F22).
- Экран: цветной TFT 128x160 точек, 3,5 дюйма.

### LCR-TC1
- Включает все функции Fish-8840TFT, а также может измерять стабилитроны и анализировать коды пультов дистанционного управления.
- Питание: литий-ионная батарея, зарядка через разъем Micro-USB.
- Экран: цветной TFT 128x160 точек, 3,5 дюйма.

### ESR-T3
- Экономичный тестер без корпуса.
- Измеряемые компоненты: диоды, транзисторы, конденсаторы, резисторы и дроссели.
- Дисплей: монохромный с подсветкой 128x160 точек, 3,5 дюйма.
- Питание: батарея типа крона (6F22).
Содержание
  1. Подключение SMD-компонентов с использованием переходника
  2. Схемы защиты Li-ion аккумуляторов от переразряда
  3. Схемы защиты Li-ion аккумуляторов
  4. Встроенные защитные схемы
  5. Ограничения плат защиты
  6. Использование плат защиты
  7. Защита Li-ion аккумуляторов от переразряда
  8. Простая схема защиты
  9. Напряжение полного разряда
  10. Управление
  11. Современный вариант схемы
  12. Недостатки и рекомендации
  13. Выключатель SA1
  14. Контроль разряда
  15. Самодельный контроль разряда
  16. Ограничитель разряда
  17. Схемы защиты и управления аккумуляторами
  18. Схемы с микромощными детекторами напряжения
  19. Подключение N-канального транзистора
  20. Транзисторы-ключи для защиты аккумуляторов
  21. Требования к полевому транзистору
  22. Таблица параметров транзисторов
  23. ▍ Управление реле
  24. ▍ Смещение уровня
  25. ▍ Защита от обратной полярности
  26. ▍ Шина питания
  27. ▍ Плавный пуск
  28. ▍ Когда уместнее использовать переключатель нагрузки
  29. ▍ Поиск «друзей»
  30. ▍ Распространённые, универсальные, полезные
Читайте также:  Как соединить оборванные провода наушников

Подключение SMD-компонентов с использованием переходника

Для удобства подключения к прибору SMD-компонентов можно изготовить простейший переходник из монтажной платы с отверстиями шагом 2,5 мм. Для этого нужно отрезать от платы прямоугольный кусочек на котором помещается 4 ряда по 7 отверстий.

В левое верхнее, нижнее и правое нижнее, а также в предпоследнее правое верхнее запаиваются штырьки от разъема с любой неисправной материнской платы. По центру запаиваются еще три штырька и подгибаются для удобства пайки к ним SMD-элемента. Крайние штырьки соединяются со средними проволочными перемычками.

Теперь можно припаять к нашему переходнику элемент с маркировкой 2Y и подключить к прибору. У нас в наличии прибор Fish-8840TFT. Вот результат:

ЭлементОписание
ТипБиполярный PNP-транзистор
КоэффициентУсиления 255
МаркировкаSS8850

Как видно из скриншота — это совсем не стабилитрон, а биполярный PNP-транзистор с коэффициентом усиления 255. Цель достигнута. Испытуемая деталь — транзистор SS8850.

Схемы защиты Li-ion аккумуляторов от переразряда

Почти все знают, что Li-ion аккумуляторы не любят глубокого разряда. От этого банки хиреют и чахнут, а также увеличивают внутреннее сопротивление и теряют емкость. Некоторые экземпляры (с защитой) могут даже погрузиться в глубокую спячку, откуда их довольно проблематично вывести. Поэтому при использовании литиевых аккумуляторов необходимо ограничить их максимальный разряд.

Схемы защиты Li-ion аккумуляторов

Для этого применяют специальные схемы, отключающие батарею от нагрузки в нужный момент. Иногда такие схемы называют контроллерами разряда. Т.к. контроллер разряда не управляет величиной тока разряда, он, строго говоря, никаким контроллером не является. На самом деле это устоявшееся, но неправильное название схем защиты от глубокого разряда.

Встроенные защитные схемы

Вопреки распространенному мнению, встроенные в аккумуляторы схемы защиты (PCB-платы или PCM-модули) не предназначены ни для ограничения тока заряда/разряда, ни для своевременного отключения нагрузки при полном разряде, ни для корректного определения момента окончания заряда.

Читайте также:  Сварочный инвертор Aurora INTER 205 22726 - доступная цена, описания и характеристики, отзывы, фото

Ограничения плат защиты

Во-первых, платы защиты в принципе не способны плавно регулировать/ограничивать ток заряда или разряда — для этого есть ЗУ. Максимум, на что они способны — это отключить аккумулятор при коротком замыкании в нагрузке или при его перегреве.

Использование плат защиты

Хорошо, если попался PCB-модуль, который будет срабатывать чуть раньше (например, при 4.1В). Тогда аккумулятор просто не доберет с десяток процентов емкости и все. Гораздо хуже, если аккумулятор будет постоянно перезаряжаться, например, до 4.3В. Тогда и срок службы сокращается, и емкость падает, и вообще, может вспухнуть.

Так что запомните: использовать встроенные в литий-ионный аккумуляторы платы защиты в качестве ограничителей разряда НЕЛЬЗЯ! И в качестве ограничителей заряда — тоже. Эти платы предназначены только для аварийного отключения аккумулятора при возникновении нештатных ситуаций.

Защита Li-ion аккумуляторов от переразряда

Поэтому и нужны отдельные схемы защиты от слишком глубокого разряда.

Простая схема защиты

Для начала — простая и надежная схема защиты Li-ion аккумуляторов от переразряда, состоящая всего из 6 элементов.

  • Указанные на схеме номиналы дадут приведут к отключению аккумуляторов от нагрузки при снижении напряжения до ~10 Вольт (для трех последовательно включенных аккумуляторов 18650).
  • Вы можете задать свой собственный порог отключения путем подбора резистора R3.

Напряжение полного разряда

К слову сказать, напряжение полного разряда Li-ion аккумулятора составляет 3.0 В и никак не меньше. (За исключением некоторых аккумуляторов от PANASONIC).

Управление

Полевик (такой как в схеме или ему подобный) можно выпаять из старой материнской платы, обычно их там несколько штук.

  • Конденсатор С1 нужен для первоначального запуска схемы при включении выключателя (он кратковременно подтягивает затвор Т1 к минусу, что открывает транзистор и запитывает делитель напряжения R3, R2).
  • Далее, после заряда С1, нужное для отпирания транзистора напряжение поддерживается микросхемой TL431.

Современный вариант схемы

Внимание! Указанный на схеме транзистор IRF4905 отлично будет защищать три последовательно включенных литий-ионных аккумулятора, но совершенно не подойдет для защиты одной ячейки с напряжением 3.7 Вольта.

Недостатки и рекомендации

Минус данной схемы: в случае КЗ в нагрузке (или слишком большого потребляемого тока), полевой транзистор закроется далеко не сразу.

Выключатель SA1

Выключатель SA1 нужен для перезапуска схемы после срабатывания защиты.

  • Если конструкция вашего прибора предусматривает извлечение аккумулятора для его зарядки (в отдельном ЗУ), то этот выключатель не нужен.

Контроль разряда

Сопротивление резистора R1 должно быть таким, чтобы стабилизатор TL431 выходил на рабочий режим при минимальном напряжении аккумулятора — его подбирают таким образом, чтобы ток анод-катод был не меньше 0.4 мА.

Самодельный контроль разряда

Приведенная ниже схема самодельного контроля разряда литиевых аккумуляторов лишена указанного недостатка. При срабатывании защиты потребляемый устройством ток настолько мал, что тестер его не обнаруживает.

Ограничитель разряда

Ниже представлен более современный вариант ограничителя разряда литиевого аккумулятора с применением стабилизатора TL431. Это, во-первых, позволяет легко и просто выставить нужный порог срабатывания, а во-вторых, схема имеет высокую температурную стабильность и четкость отключения.

Схемы защиты и управления аккумуляторами

Для выхода из режима блокировки, нужно зарядить аккумулятор выше порога срабатывания защиты, после чего нажать кнопку S1 Сброс.

Неудобство всех вышеприведенных схем заключается в том, что для возобновления работы схем после ухода в защиту, требуется вмешательство оператора (включить-выключить SA1 или нажать кнопку). Это плата за простоту и низкое потребление энергии в режиме блокировки.

Схемы с микромощными детекторами напряжения

Микросхемы MCP100 выпускаются как в DIP-корпусе, так и в планарном исполнении. Для этой схемы подойдет 3-вольтовый вариант — MCP100T-300i/TT. Типовой потребляемый ток в режиме блокировки — 45 мкА.

Еще лучше вместо MCP100 применить монитор BD4730, у него выход прямой и, следовательно, нужно будет исключить из схемы транзистор Q1 (выход микросхемы соединить напрямую с затвором Q2 и резистором R2, при этом R2 увеличить до 47 кОм).

Подключение N-канального транзистора

В схеме можно использовать и N-канальный транзистор, который включается в минусовую цепь нагрузки.

Мониторы (супервизоры, детекторы) питания BD47xx — это целая линейка микросхем с напряжением срабатывания от 1.9 до 4.6 В с шагом 100 мВ, так что можно всегда подобрать нужный под ваши цели.

Транзисторы-ключи для защиты аккумуляторов

Во всех вышеприведенных схемах защиты литий-ионных аккумуляторов от глубокого разряда применяются MOSFETы, работающие в ключевом режиме. Такие же транзисторы обычно используются и в схемах защиты от перезаряда, защиты от КЗ и в других случаях, когда требуется управление нагрузкой.

Требования к полевому транзистору

Первое требование к полевому транзистору — он должен быть подходящего типа (N- либо P-канальный). Второе требование — полевик должен длительное время выдерживать максимальный ток до 3А.

Итак, предварительно определимся со схемой, которую хотим собрать. Предположим, что максимальный ток не будет превышать 3А. Далее можно выбрать подходящий полевой транзистор для защиты аккумуляторов.

Таблица с параметрами транзисторов

Таблица параметров транзисторов

ТранзисторТипМаксимальный токНапряжение на затворе
IRF7210p-канальный10-12 A1.5 В
Другие транзисторыn-канальныйДо 3 A

Третье. Допустим выбранная схема будет обеспечивать защиту аккумулятора 18650 от глубокого разряда (одной ячейки). Следовательно, можно сразу определиться с рабочими напряжениями: от 3.0 до 4.3 Вольта. Значит, максимальное допустимое напряжение сток-исток Uds должно быть больше, чем 4.3 Вольта.

Однако последнее утверждение верно только в случае использования только одной ячейки литиевого аккумулятора (или нескольких включенных параллельно). Если же для питания вашей нагрузки будет задействована батарея из нескольких последовательно включенных аккумуляторов, то максимальное напряжение сток-исток транзистора должно превышать суммарное напряжение всей батареи.

В то же время полевой транзистор должен уметь полностью (или хотя бы достаточно сильно) открываться уже при напряжении затвор-исток Ugs менее 3 Вольт. На самом деле, лучше ориентироваться на более низкое напряжение, например, на 2.5 Вольта.

Подходящие низковольтные полевые транзисторы, обладающие низким переходным сопротивлением при малом напряжении затвор-исток (около 2.5 Вольт) приведены в таблице:

Любой транзистор из таблицы можно сразу брать и применять в схемах защиты литий-ионных аккумуляторов от глубокого разряда и/или перезаряда.

Также можно использовать микросборку TXY8205A, которая добывается из старых аккумуляторов от сотовых телефонов. Внутри у нее два N-канальных MOSFET-а, рассчитанных на 6А. Сборка может иметь различную маркировку на корпусе: SM8205A, SSF8205, S8205A и т. п.

На платах защиты могут попадаться и другие микросборки, все они тоже подойдут (например, часто встречаются YA2042, AM8814, TPC8212).

В прошлый раз мы разобрали основы полевых транзисторов, поговорили об их нюансах и возможных подвохах. Но на основах здесь дело не заканчивается, поэтому давайте разберём реальные случаи применения этих транзисторов во всём их разнообразии! Я хочу показать вам несколько крутых схем, где дружелюбные полевики, особенно их МОП-модификация, способны вам помочь. Попутно с этим я также представлю вам несколько полевых транзисторов, с которыми вы, как мне кажется, подружитесь надолго. Если, конечно, вы с ними ещё не знакомы.

▍ Управление реле

Это, пожалуй, самое популярное применение для NPN-транзистора — управление катушками, такими как реле или соленоиды. Мы все уже привыкли управлять реле с помощью биполярных транзисторов, обычно NPN-модификаций, но это не обязательно должны быть именно они. Зачастую с этой задачей справятся и полевики. На картинке вы видите N-FET, используемый в той же конфигурации, что и типичный биполярник, за исключением того, что вместо ограничивающего базовый ток резистора здесь у нас резистор между затвором и истоком. После сборки платы нельзя просто выпаять биполярник и впаять на его место полевик, но в остальном эта замена проблем не составляет. Здесь по-прежнему необходим диод с обратной защитой от ЭМ-полей на случай, когда вы включаете реле, и катушка, протестуя, создаёт непредсказуемое напряжение. Что поделать, идеала не существует.

Причина, по которой вы можете управлять реле тем же образом, довольно проста: в обычной NPN-цепи оно управляется логическим уровнем интерфейса ввода-вывода с напряжением 3,3 или 5 В, а для малосигнальных полевиков это вполне вписывается в диапазон Vgs. Тем не менее, если ввод-вывод вашего микроконтроллера имеет 1,8 В и параметр Vgs полевого транзистора для него не подходит, NPN-модель окажется более удачным решением, поскольку будет функционировать при условии, что вы сможете подавать любой невысокий ток и мизерные 0,7 В, необходимые для работы.

А вот и наши первых два дружелюбных транзистора — 2N7002 и BSS138 — они оба являются малосигнальными N-FET, подходящими как раз для такой работы. Модель 2N7002 — это довольно простая деталь — вы зачастую встретите её там, где может подойти N-FET. BSS138 в этом плане очень похож при чуть более высоком диапазоне Rds и чуть более низком Vds. Их вы встретите в некоторых схемах от Sparkfun или Adafruit. Вы можете спокойно купить кучу тех или других и использовать в своих схемах, когда вам требуется небольшой N-FET, которым можно управлять с помощью ввода-вывода.

▍ Смещение уровня

Естественно, относительно небольших полевиков логического уровня есть и ещё кое-какие нюансы — к примеру, если вам когда-либо требовалось смещать уровень нескольких сигналов, то вы могли использовать небольшие платы «смещения уровня» с деталями в корпусе SOT23. Эти детали фактически являются полевыми транзисторами, и наша коллега Дженни Лист разбирала этот вид в своей обширной статье о смещении уровня (англ.). Помимо прочего, этот метод недорог в реализации, прост и будет работать с подавляющим большинством сигналов, уровень которых вам потребуется смещать — ещё больше причин запастись малосигнальными N-FET.

▍ Защита от обратной полярности

Вот прекрасная схема, которая позволит вам реализовать безупречную защиту от обратной полярности с помощью полевиков. Вы можете использовать любой их вид — зачастую для этой цели берут P-FET, поскольку наличие непрерывной общей земли имеет свои плюсы, но и N-FET тоже сойдёт. Этот способ защиты намного лучше использования последовательно включённого диода, потому что здесь вы уже не затрачиваете столько мощности — при потреблении 1–2 А диод может привести к потере более 1 Вт на нагрев.

Если Vgs не превышает ожидаемую входную мощность, то вам достаточно привязать затвор P-FET к минусовому пину, подключить питание к плюсовому, а пин стока оставить в качестве выхода. В противном случае, если ваше входное напряжение может превысить пороги Vgs или обратного Vgs, нужно добавить стабилитрон и резистор для ограничения напряжения. Такой вид защиты от обратной полярности дешёв, безупречен и может полноценно защитить ваши компоненты от огненной смерти.

Естественно, если у вас уже не маломощная схема, то потребуется выйти за пределы возможностей малосигнальных полевиков — примером может стать вход питания для макетной платы, с которой вы работаете. Быть может, здесь вам подойдёт тот же вид полевых транзисторов, который бы вы установили для переключения периферии на стороне питания? Давайте разберём полевики помощнее — в частности, несколько небольших, но хороших P-FET, способных налегке справляться с более высоким током.

Существует довольно мало небольших, но мощных полевых транзисторов с максимальным диапазоном Vgs от 12 до 24 В и максимальным Ids в районе 2–4 А, которые подойдут во многих случаях. Некоторые из них имеют хвалёный вход логического уровня, что обычно означает адекватный показатель Rds при Vgs значительно ниже логического уровня 3,3 В, то есть 1,8 В. Если вам когда-либо потребуется переключать питание для Wi-Fi-модуля 3,3 В, и вы решите делать это с помощью ввода-вывода, то подобный полевик отлично подойдёт. Другие модели не хвастаются наличием входа логического уровня, но имеют разумный Rds при низком Vgs.

Среди излюбленных мной универсальных P-FET с поддержкой высокого тока я начинала с IRLML6401 и IRLML6402, а теперь использую их аналоги восточного производства, CJ2305 и HX2301A, только потому, что они стоят дешевле на LCSC. Когда дело доходит до N-FET аналогичного калибра, отлично подойдёт IRLML2502, а AO3400A уже давно зарекомендовал себя как классика среди деталей с восточного рынка. Ищите что-то ещё? Ознакомьтесь со статьёй Ask Hackaday: Dude, where’s my mosfet?, в которой электронщики высказывают свои рекомендации по использованию конкретно этого вида полевых транзисторов.

▍ Шина питания

Мы все видели схему с двумя диодами, позволяющую подавать питание через вход постоянного напряжения или батарею с помощью простого переключения. Тем не менее здесь есть проблема — при питании от батареи использование последовательного диода приведёт к потере приличного объёма выходного напряжения, что станет особенно заметно при запитывании схемы 3,3 В от литий-ионной батареи с диапазоном 4,2–3 В. Эта схема в процессе зарядки аккумулятора снимает с него нагрузку и запитывает её от 5 В. И хотя здесь может показаться, что ситуацию исправит параллельное подключение нагрузки к батарее, вмешиваться в CC/CV-цикл зарядки не стоит.

Я упоминала эту схему в статье Lithium-Ion battery circuitry is simple, но стоит упомянуть её ещё раз — очень уж она хороша. Естественно, вам потребуется подходящий сюда полевой транзистор, и на роль такого вполне сгодится P-FET с выходом логического уровня. Ах да, подходящий подбор резистора позволит избежать проблем — можно безопасно использовать экземпляр на 10 КОм или даже 47КОм, и если ваша схема сгорит при отключении зарядки, то просто снизить сопротивление до 1 КОм. В конце концов затвор полевика не нуждается в столь большом токе для удержания заряда.

Здесь нужно помнить — в отличие от обычного монтажа, при реализации переключения на стороне питания на этой схеме полевик разворачивается, чтобы сток и исток поменялись местами, и 5 В не подавалось на батарею через паразитный диод. При этом он всё равно будет работать, в частности потому, что паразитный диод приводит к появлению напряжения на пине истока. Но учитывайте, что необходимо вычислить порог Vgs, отняв понижение напряжения на паразитном диоде от минимального возможного напряжения батареи — в противном случае транзистор может не открываться.

▍ Плавный пуск

В некоторых случаях, когда вы переключаете подачу питания на периферию вроде GSM-модема, находящегося на собственной коммутационной плате, на шине питания которой установлено несколько мощных конденсаторов, он будет потреблять очень много тока и просаживать напряжение, наверняка приводя к отключению и перезагрузке микроконтроллера. Установив единственный конденсатор между затвором и стоком, вы можете добавить к своей основанной на P-FET схеме переключения простенькую фичу плавного старта. При этом полевой транзистор будет дольше находиться в линейной области при включении, предварительно заряжая конденсаторы до своего полного открытия и сглаживая пик потребления мощности. Это хак, но он решает проблему, и его вполне можно реализовать уже на этапе пост-продакшена.

Хотите разобраться получше? Вот прекрасная публикация (англ.) от onsemi, где он говорит об основах переключения нагрузки с помощью полевых транзисторов, описывая больше практических примеров и стоящих за ними тонкостей. Там же разбираются случаи, когда вам может потребоваться использовать вместо этого переключатель нагрузки. Кстати, а какие это могут быть случаи?

▍ Когда уместнее использовать переключатель нагрузки

Сложно противопоставить что-либо интегральным микросхемам — один такой чип может решить все ваши задачи так, как не сможет ни одно решение на дискретных компонентах. К примеру, вы хотите переключать нагрузку 5 В/1,5 А, но также хотели бы получить защиту от превышения тока. В случае самодельного решения на основе полярных транзисторов вам по меньшей мере потребуется добавить токоизмерительный резистор и операционный усилитель или компаратор.

С другой стороны, переключатель нагрузки вроде SY6280 обладает всеми возможностями, которые у вас могут быть при сборке собственного основанного на полевиках переключателя на стороне питания. В таком случае ограничение тока будет легко настраиваться с помощью одного резистора, и будет присутствовать даже опциональный выходной разряжающий резистор на случай, если вашему устройству пойдёт на пользу наличие остаточного напряжения после отключения.

В целом существует много разнообразных переключателей нагрузки, спроектированных с целью упрощения ваших схем и повышения их надёжности. При этом такое решение выходит ненамного дороже использования дополнительного полевика. В них всех есть такие транзисторы, но управляются они всегда через ввод-вывод, в связи с чем пропадает потребность в учитывании ёмкости затвора или Vgs. Некоторые из них позволяют выполнять плавный пуск, другие имеют ограничение тока, у третьих есть защита от обратного тока. Но какая бы задача перед вами ни стояла, вы сможете подобрать под неё переключатель нагрузки, если вдруг ваша схема на полевиках станет уж чересчур сложной.

▍ Поиск «друзей»

Естественно, иногда вам потребуется конкретный полевой транзистор, например в случаях, для которых вы не знаете подходящих кандидатов. Тут вам придётся обратиться к функционалу подборки деталей в онлайн-магазине — и это может немного пугать, поскольку у транзисторов есть немало параметров. Для начала обратитесь к SMD-полевикам, которые подойдут для большинства упомянутых выше случаев — довольно сложно найти транзисторы под монтаж в отверстия (THT, Through Hole Technology), которые подойдут под параметры «20 Vds max, 3 А Ids max», а SMD-варианты в своих типичных корпусах паяются легко. Иными словами, вам не нужно искать THT-детали, когда требуется получить высокую мощность.

Под одни и те же параметры N-FET окажутся несколько дешевле P-FET, у них будет чуть меньший Rds, и они могут оказаться более доступны. Здесь у вас обычно не будет свободы выбора, но в случаях, когда вы имеете контроль над схемой, для задач переключения высокой мощности, пожалуй, лучше будет предпочесть именно N-FET. Выбрав подходящий вид полевого транзистора, ограничьтесь этой категорией и, возможно, также ограничьте варианты по количество каналов. Лучше всего будет использовать один-два, но обычно имеет смысл задействовать один, если только ваша схема не предполагает установку множества похожих полевиков.

Среди многих параметров транзисторов наиболее важными являются Vds и Id, так что вы можете начать сужать спектр выбора, исходя из них. Здесь рекомендуется взять детали с адекватным запасом по максимальному ожидаемому напряжению — будет опасно придерживаться его слишком близко. Поэтому для индуктивных нагрузок ориентируйтесь хотя бы на 20% запаса или даже больше. Тем не менее излишнее завышение этого параметра на любой из таких деталей может привести к потребности в неадекватно большом Vgs, так что не перегибайте. К примеру, для переключения светодиодной ленты 24 В/2 А вам потребуется как минимум полевик на 30 В/3 А, а вот 45 В/5 А будет уже слишком.

После ограничения диапазона Vds и Ids вы можете закончить отсев деталей по тем видам корпусов, которые не хотите паять вручную — в частности, при использовании SMD будет удачной идеей ограничиться SOT- и SO-вариантами, если у вас нет специального фена. На этом этапе у вас должно остаться уже небольшое количество видов полевиков на выбор — тут можно отсеять ещё несколько по порогу Vgs и Rds, после чего упорядочить остатки по цене и посмотреть, какие дешёвые варианты доступны. Найдите несколько, у которых Vgs на поверхностном уровне выглядит удовлетворительно, затем ознакомьтесь с документацией и графиками. Будет ли в итоге Rds выглядеть разумным при том Vgs, который вы можете обеспечить?

▍ Распространённые, универсальные, полезные

Существует ещё много рецептов для использования полевых транзисторов в ваших схемах. Вы можете реализовывать ШИМ-контроллеры, контроллеры двигателей, электронные нагрузки, защитные схемы — в этом случае полевики также будут иметь заслуженное место на ваших платах. В следующий раз мы поговорим про обработку малой и большой мощности, когда лучшим союзником может стать именно дружелюбный полевик.

Пол-лимона подарков от RUVDS. Отвечай на вопросы и получай призы 🍋

Оцените статью
Про пайку
Добавить комментарий